材料特性：

• AMB氮化硅载板具有高热导率（＞85W/mK）

• 剥离强度＞10N/mm，抗弯强度＞700Mpa

• 温度循环≥5000次（-40℃~150℃）

• 热膨胀系数为2.4ppm/KS

• 铜层厚度（可达800um）

• 高载流能力与高热容量及热导性与碳化硅热膨胀系数接近，为第三代碳化硅MOS芯片必备载板。

应用场景：

• 新能源800V汽车OBC\主驱逆变器\DC-DC

• EV-PC重卡DC-DC转换器

• 新能源基站-功率器件

• 超充桩-充电模块功率器件

• 光储充-变电站功率器件

• 智能电网-高压直流输电换电阀

• 无线通信雷达/5G基站-碳化硅基氮化镓射频器件

• 光伏发电/风力发电-碳化硅三相半桥